- Код статьи
- 10.31857/S0132665122600674-1
- DOI
- 10.31857/S0132665122600674
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 49 / Номер выпуска 5
- Страницы
- 567-570
- Аннотация
- Рассмотрены особенности формирования скрытого свинцово-силикатного изолирующего слоя в кремниевых подложках. Для этого в них последовательно имплантировались ионы молекулярного кислорода и свинца в атомарном соотношении 75 : 1, затем производились отжиги при температуре 1150°C в среде сухого кислорода. Распределение имплантированных ионов в экспериментальных образцах регистрировалось методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что скрытый изолятор формируется в процессе спинодального распада твердого раствора SiOx–PbOx в виде трехслойной структуры. Средняя ее часть представляет собой диоксид кремния, легированный ионами свинца, боковые части состоят из свинцово-силикатной фазы. Для анализа профиля распределения свинца предложена модель релаксационной диффузии.
- Ключевые слова
- структуры “кремний–на–изоляторе” ионно-лучевой синтез спинодальный распад анализ послойного распределения компонентов
- Дата публикации
- 01.09.2023
- Год выхода
- 2023
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 32
Библиография
- 1. Steve Krause, Maria Anc, Peter Roitman. Evolution and Future Trends of SIMOX Material // MRS Bulletin. 1998. V. 23. № 12. P. 25–29.
- 2. Parfenov N.M. Analysis of the technological characteristics in fabricating SOI MEMS trandsducers // Russ. Microelectron. 45. 223–227 (2016).
- 3. Jeff Chiles, Sasan Fathpour. Silicon photonics beyond silicon-on-insulator // J. of Optics. 2017. V. 19. № 5. 5 053 001.
- 4. Денисенко Ю.И., Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Способ ионного синтеза в кремнии захороненного слоя изолятора. Патент РФ № 2235388. 27.11.2002.
- 5. Krivelevich S.A., Buchin Ed.Yu., Denisenko Yu.I., Selyukov R.V. Micro- and Nanoelectronics 2005 / Ed. by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky // Zvenigorod, Russia. Proc. SPIE. 2006. V. 6260. 626007. 8 p.
- 6. Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И. Ионный синтез структур “кремний на изоляторе” со свинцово-силикатным изолирующим слоем // ПЖТФ. 2021. Т. 47. № 14. С. 47–50.
- 7. Mythili N., Arulmozhi K.T., Fareed S.S. A comparative study: On the properties of PbO–SiO2 glass systems synthesized via different routes // Optik. 2016. V. 127. № 22. P. 10817–10824.
- 8. Скрипов В.П., Скрипов А.В. Спинодальный распад (Фазовый переход с участием неустойчивых состояний) // УФН. 1979. Т. 128. Вып. 2. С.193–231.
- 9. Антонов Н.М., Гусаров В.В., Попов И.Ю. Модель спинодального распада фаз в условиях гиперболической диффузии // ФТТ. 1999. Т. 41. № 5. С. 907–909.
- 10. Разумов И.К. Спинодальный распад сплава с сильной концентрационной зависимостью коэффициента взаимной диффузии // ФТТ. 2022. Т. 64. № 1. С. 19–24.
