Статьи автора

КЛАСТЕРНАЯ САМООРГАНИЗАЦИЯ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМ: КЛАСТЕРЫ-ПРЕКУРСОРЫ K, K, K ДЛЯ САМОСБОРКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР YRhSn-oS, LuZnGe-oS, BaIrIn-oS

Номер выпуска 1 от 01.01.2025

С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлены комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур YRhSn-oS (a = 4.387 Å, b = 26.212 Å, c = 7.155Å, V = 822.77 Å), LuZnGe-oS (a = 4.179 Å, b = 18.368 Å, c = 15.050 Å, V = 1155.24 Å), BaIrIn-oS (a = 4.485 Å, b = 29.052 Å, c = 13.687 Å, V = 1783.63 Å) c пространственной группой Cmc2(36). Для YRhSn-oS установлены 18 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 1 (1 вариант), N = 2 (11 вариантов), N = 3 (6 вариантов). Рассматривается вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров в виде сдвоенных тетраэдров K = 0@6(YSnRh) и тетраэдров K = 0@4(YSnRh). Для LuZnGe-oS установлены 66 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 1 (1вариант), N = 2 (25 вариантов), N = 3 (20 вариантов) и N = 4 (20 вариантов). Рассматривается вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки трех атомных кластеров-прекурсоров K(D) = 0@3(Lu Ge), K(D) = 0@3(Lu Zn Ge), K(D) = 0@3(Lu Zn Ge), K(D) = 0@3(Lu Zn Ge), K(D) = 0@3(GeZn). Для BaIrIn-oS установлены 129 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (36 вариантов) и N = 3 (103 варианта). Рассматривается вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: пентагональных пирамид K = 0@6(BaIn), тетраэдров K = 0@4(BaRhIn) и тетраэдров K = 0@4(RhIn), колец K = 0@4(RhIn) и атомов-спейсеров In. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки кристаллической структур YRhSn-oS, LuZnGe-oS, BaIrIn-oS из кластеров-прекурсоров K, K, K в виде: первичная цепь → слой → каркас.

18 0

КЛАСТЕРНАЯ САМООРГАНИЗАЦИЯ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМ: КЛАСТЕРЫ-ПРЕКУРСОРЫ K3, K4, K6 ДЛЯ САМОСБОРКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР LiCuSi-oP40, LaRhAl-oP40, CaPtSn-oP40

Номер выпуска 1 от 01.01.2025

С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлены комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур LiCuSi-oP40 (a = 7.969 Å, b = 4.449 Å, c = 17.244 Å, V = 611.46 Å), LaRhAl-oP40 (a = 26.949Å, b = 4.218Å, c = 7.267 Å, V = 826.05 Å), CaPtSn-oP40 (a = 27.701 Å, b = 4.614 Å, c = 9.371 Å, V = 1198.02 Å), с пространственной группой Pnma. Для LiCuSi-oP40 рассмотрена самосборка кристаллической структуры с участием супракластеров-тримеров из кластеров K6(4a) = 0@6(LiCu) и двух кластеров K6(8d) = 0@6(CuLi) и атомов-спейсеров Si. Для LaRhAl-oP40 рассмотрена самосборки кристаллической структуры с участием кластеров K3(8d) = 0@3(LaRhAl), кластеров K6(4a) = 0@6(LaRhAl) из связанных кластеров LaRhAl и кластеров K4(8d) = 0@4(LaRhAl). Для CaPtSn-oP40 рассмотрена самосборка кристаллической структуры с кластеров-прекурсоров в виде сдвоенных тетраэдров K6 = 0@6(CaSnPt) и тетраэдров K4 = 0@4(CaSnPt). Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки LiCuSi-oP40, LaRhAl-oP40, CaPtSn-oP40 из кластеров-прекурсоров K3, K4, K6 в виде: первичная цепь → слой → каркас.

17 0