С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлены комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур YRhSn-oS (a = 4.387 Å, b = 26.212 Å, c = 7.155Å, V = 822.77 Å), LuZnGe-oS (a = 4.179 Å, b = 18.368 Å, c = 15.050 Å, V = 1155.24 Å), BaIrIn-oS (a = 4.485 Å, b = 29.052 Å, c = 13.687 Å, V = 1783.63 Å) c пространственной группой Cmc2(36). Для YRhSn-oS установлены 18 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 1 (1 вариант), N = 2 (11 вариантов), N = 3 (6 вариантов). Рассматривается вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров в виде сдвоенных тетраэдров K = 0@6(YSnRh) и тетраэдров K = 0@4(YSnRh). Для LuZnGe-oS установлены 66 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 1 (1вариант), N = 2 (25 вариантов), N = 3 (20 вариантов) и N = 4 (20 вариантов). Рассматривается вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки трех атомных кластеров-прекурсоров K(D) = 0@3(Lu Ge), K(D) = 0@3(Lu Zn Ge), K(D) = 0@3(Lu Zn Ge), K(D) = 0@3(Lu Zn Ge), K(D) = 0@3(GeZn). Для BaIrIn-oS установлены 129 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (36 вариантов) и N = 3 (103 варианта). Рассматривается вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: пентагональных пирамид K = 0@6(BaIn), тетраэдров K = 0@4(BaRhIn) и тетраэдров K = 0@4(RhIn), колец K = 0@4(RhIn) и атомов-спейсеров In. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки кристаллической структур YRhSn-oS, LuZnGe-oS, BaIrIn-oS из кластеров-прекурсоров K, K, K в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлены комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур LiCuSi-oP40 (a = 7.969 Å, b = 4.449 Å, c = 17.244 Å, V = 611.46 Å), LaRhAl-oP40 (a = 26.949Å, b = 4.218Å, c = 7.267 Å, V = 826.05 Å), CaPtSn-oP40 (a = 27.701 Å, b = 4.614 Å, c = 9.371 Å, V = 1198.02 Å), с пространственной группой Pnma. Для LiCuSi-oP40 рассмотрена самосборка кристаллической структуры с участием супракластеров-тримеров из кластеров K6(4a) = 0@6(LiCu) и двух кластеров K6(8d) = 0@6(CuLi) и атомов-спейсеров Si. Для LaRhAl-oP40 рассмотрена самосборки кристаллической структуры с участием кластеров K3(8d) = 0@3(LaRhAl), кластеров K6(4a) = 0@6(LaRhAl) из связанных кластеров LaRhAl и кластеров K4(8d) = 0@4(LaRhAl). Для CaPtSn-oP40 рассмотрена самосборка кристаллической структуры с кластеров-прекурсоров в виде сдвоенных тетраэдров K6 = 0@6(CaSnPt) и тетраэдров K4 = 0@4(CaSnPt). Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки LiCuSi-oP40, LaRhAl-oP40, CaPtSn-oP40 из кластеров-прекурсоров K3, K4, K6 в виде: первичная цепь → слой → каркас.
Проведен геометрический и топологический анализ кристаллических структур интерметаллидов Li68Ge16-oC84 (a = 4.551 Å, b = 22.086 Å, c = 13.275 Å, V = 13.275 Å3, Cmcm), Li44Ge24-oC68 (a = 4.380 Å, b = 24.550 Å, c = 10.540 Å, V = 1144.11 Å3, Cmcm), и Li12Ge12-tI24 (a = b = 4.053 Å, c = 23.282 Å3, I41/amd). Для интерметаллида Li68Ge16-oC84 установлены два новых каркасобразующих кластера: K12 = 0@12(Li9Ge3) с симметрией m в виде связанных 5-ных колец Li3Ge2 и Li4Ge, с атомами Li, расположенными в центре 5-ных колец, и K9 = 0@9(Li3Ge)(Li3)2 с симметрией m в виде связанных 3-ных колец (Li3)(GeLi2)(Li3). Для интерметаллида Li44Ge24-oC68 установлены два новых каркасобразующих кластеров: K11 = 0@11 (LiLi5)(Ge5) с симметрией m в виде 5-ных колец Ge5 (лежащих в основании пирамиды), которые связаны с 5-атомами Li, лежащими в одной плоскости с атомом Li (вершиной пирамиды) и K6 = 0@ 6(GeLi5) с симметрией m в виде сдвоенных тетраэдров Li3Ge, имеющих общее ребро LiGe. Для интерметаллида Li12Ge12-tI24 установлен каркасобразующий кластер K6 = 0@ 6(Ge3Li3) с симметрией 2 в виде сдвоенных тетраэдров Li2Ge2, имеющих общее ребро LiGe. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки кристаллических структур Li68Ge16-oC84, Li44Ge24-oC68, Li12Ge12-tI24 из кластерных прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур Lu4Te4-oF8 (Fm-3m, V = 211.0 Å3), Te4Lu28-oC32 (Cmcm, V = 908.3 Å3), Lu3(TeLu3)Lu2-hP9 (P-62m, V = 908.3 Å3), Lu66Te24-mC90 (C12/m1, V = 2467.2 Å3). Для кристаллической структуры Lu4Te4-oF8 установлены кластеры-прекурсоры K8 = 0@Te4Lu4 с симметрией -43m, для Te4Lu28-oC32 – тетраэдрические кластеры-прекурсоры K4 = 0@Lu4 и K4 = 0@TeLu3 с симметрией 2 и m, для Lu3(TeLu3)Lu2 – кластеры-прекурсоры K7 = = 0@Lu3(TeLu3) с симметрией 3m и спейсеры Lu. Для кристаллической структуры Lu66Te24-mC90 установлены кластеры-прекурсоры в виде пирамиды K5 = 0@Lu5 с симметрией 2, тетраэдры K4 = 0@Lu4 с симметрией 2, тетраэдры K4 = 0@TeLu3 и тетраэдры K4 = 0@Te2Lu2, и кольца K3 = 0@TeLu2, участвуют в образование супракластеров-тримеров. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур Zr72P36-oS108 (a = 29.509 Å, b = 19.063 Å, c = 3.607 Å, V = 2029.49 Å3, Cmmm), Zr18Ni22-tI40 (a = b = 9.880 Å, c = 6.610 Å, V = 645.23 Å3, I4/m. Zr4Ni4-oS8 (a = 3.271 Å, b = 9.931 Å, c = 4.107 Å, V = 133.43 Å3, Cmcm. Для кристаллической структуры Zr72P36-oS108 установлены 40 вариантов кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 5, 6, 7. Определены структурные единицы в виде пирамиды K5 = 0@PZr4, тетраэдра K4 = 0@Zr4, супратетраэдра K9 = Zr(Zr4P4) из четырех связанных тетраэдров. Для кристаллической структуры Zr18Ni22-tI40 также определены супратетраэдры K9 = Ni(Zr4Ni4). Для кристаллической структуры Zr4Ni4-oS8 определен кластер-прекурсор в виде тетраэдра K4 = Zr2Ni2. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур U8Ni10Al36-mC54 (a = 15.5470 Å, b = 4.0610 Å, c = 16.4580 Å, β = 120.00°, V = = 899.89 Å3, C m), U20Ni26-mC46 (a = 7.660 Å, b = 13.080 Å, c = 7.649 Å, β = 108.88°, V = 725.26 Å3, C 2/m), U8Co8-cI16 (a = 6.343 Å, V = 255.20 Å3, I 213). Для кристаллической структуры U8Ni10Al36-mC54 установлены 960 вариантов кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 5, 6, 7. Определены 6 кристаллографически независимых структурных единиц в виде пирамиды K5 = 0@Al(U2Al2), пирамиды K6A = 0@U(NiAl4), пирамиды K6B = 0@U(NiAl4), колец K3A = 0@NiAl2, K3B = 0@NiAl2, K3C = 0@Al3. Для кристаллической структуры U20Ni26-mC46 определены структурные единицы K5 = Ni(Ni2U2) и икосаэдры K13 = Ni@Ni6U6. Для кристаллической структуры U2Co2-cI16 определены структурные единицы – тетраэдры K4 = U2Co2. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур Y20Cu20Mg64-oC104 (a = 4.136 Å, b = 19.239 Å, c = 29.086 Å, V = 2314.45 Å3, Cmcm), Y20Cu20Mg52-oC92 (a = 4.097 Å, b = 19.279 Å, c = 25.790 Å, V = 2037.30 Å3, Cmcm), Y3(NiAl3)Ge2-hP9 (a = b = 6.948 Å, c = 4.156 Å, V = 173.78 5 Å3, P-62m). Для кристаллической структуры Y20Cu20Mg64-oC104 установлены 52 варианта кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4, и 5. Определены 4 кристаллографически независимые структурные единицы в виде тетраэдра K4 = 0@CuMg3, тетраэдра K4 = 0@YMg3, тетраэдра K4 = 0@YCuMg2, и супратетраэдра K6 = 0@YCu2Mg3. Рассмотрен вариант самосборки с участием гексамеров из 6 связанных структурных единиц (K4B + K4C)(K4A + K6) (K4B + K4C). Для кристаллической структуры Y20Cu20Mg64–oC92 установлены 27 вариантов кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4, и 5. Определены 3 кристаллографически независимые структурные единицы в виде тетраэдр K4 = = 0@YCuMg2, кластер K6 = 0@6(Y2Mg4) в виде сдвоенных тетраэдров YMg3, и 9-атомный супратетраэдр K9 = Mg@Y2Cu2Mg4 состоящий из двух тетраэдров YMg2Cu и двух тетраэдров YMg3. Рассмотрен вариант самосборки с участием тримеров из 3 структурных единиц K4+ K6+ K9. Для кристаллической структуры Y3(NiAl3)Ge2-hP9 установлены 8 вариантов разложения 3D атомной сетке на кластерные структуры с участием двух структурных единиц. Рассмотрен вариант самосборки с участием образующих упаковки 7-атомных кластеров-прекурсоров K7 = 0@Y3(NiAl3) с участием атомов-спейсеров Ge. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D-структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур с пространственной группой I4/mcm: Pu31Rh20-tI204: a = 11.076 Å, c = = 36.933 Å, V = 4530.86 Å3, Pu20Os12-tI32: a = 10.882 Å, c = 5.665 Å, V = 670.8 Å3 (Pu4Co)2(Pu4)-tI28: a = 10.475 Å, c = 5.340 Å, V = 585.9Å3 (Ti4Ni)2(Bi4)-tI28: a = = 10.554 Å, c = 4.814 Å, V = 536.2Å3, Bi4-tI8: a = 8.518 Å, c = 4.164 Å, V = 302.15 Å3. Для кристаллической структуры Pu31Rh20-tI204 установлены 113 вариантов кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 4 (14 вариантов), 5 (61 вариантов) и 6 (38 вариантов). Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием трех типов каркас-образующих полиэдров: K15 = = Pu@14(Rh2Pu5)2 с симметрией –42m, сдвоенных пирамид K10 = (Rh@Pu4)2 с симметрией 4, октаэдров K6 = 0@8(Rh2Pu6) c симметрией mmm и спейсеров Rh. Для кристаллической структуры Pu20Os12-tI32 определены каркас-образующие полиэдры в виде пирамиды K5 = 0@OsPu4 с симметрией 4, и спейсеры Pu и Os. Для кристаллической структуры (Ti4Ni)2(Bi4) определены каркас-образующие пирамиды K5 = = 0@Ti4Ni и тетраэдры K4 = 0@Bi4. Для кристаллической структуры (Pu4Co)2(Pu4)-tI28 определены каркас-образующие пирамиды K5 = 0@ Pu4Co и тетраэдры K4 = 0@Pu4. Для кристаллической структуры Bi4-tI8 определены каркас-образующие тетраэдры K4 = 0@Bi4. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлены комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур интерметалидов Yb72Sn46-tP118 (a = 11.076 Å, c = 36.933 Å, V = 4530.86 Å3, пр. группа P 4/mbm). Для кристаллической структуры Yb72Sn46-tP118 установлено 195 вариантов кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 5 (24 варианта), 6 (86 вариантов) и 7 (85 вариантов). Рассмотрен вариант наиболее быстрой самосборки с участием трех типов кластеров-прекурсоров, формирующих слои из октаэдров K6 = 0@6(Yb4Sn2) с симметрией g = 4/m, полиэдров K11 = = Sn@10(Yb8Sn2) с симметрией g = –1 и полиэдров K15 = Yb@14(Yb10Sn4) с симметрией g = 2 mm, а также атомов-спейсеров Yb и Sn. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлены комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур семейства Sr12Mg20Ge20-oP52 (a = 21.707 Å, b = 4.483 Å, c = 18.456 Å, V = 1795.88 Å3, Pnma), семейства Sr2LiInGe2-oP24 (a = 7.503, b=4.619, c = 17.473 Å, V= 605.63 Å3, Pnma), семейства Sr2Mg2Ge2-oP12 (a = 10.882 Å, c = 5.665 Å, V=670.8 Å3, Pnma). Для кристаллической структуры Sr12Mg20Ge20-oP52 установлены 17 вариантов кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 2 (5 вариантов), 3 (6 вариантов) и 4 (6 вариантов). Рассматривается вариант самосборки с участием тройных колец K3 = 0@3(SrMgGe) и K3 = 0@3(Mg2Ge) и сдвоенных тетраэдров K6 = 0@6(Sr2Mg2Ge2) с симметрией –1, образующих супраполиэдрический кластер-тример A из кластеров (SrMgGe)(Sr2Mg2Ge2)(SrMgGe) и кластер-тример B из кластеров (Mg2Ge)(Sr2Mg2Ge2)(Mg2Ge). Для кристаллической структуры (Sr2Li)2(InGe2)2-oP24 определены каркас-образующие полиэдры в виде сдвоенных тетраэдров K6 = 0@6(Sr2Mg2Ge2) и тройные кольца K3 = 0@3(SrMgGe). Для кристаллической структуры Sr2Mg2Ge2-oP12 определены каркас-образующие полиэдры в виде сдвоенных тетраэдров K6 = 0@6(Sr2Mg2Ge2). Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D-структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур RbNa8Ga3As6-oP72 (a = 22.843Å, b = 4.789 c = 16.861 Å, V = 1844.6 Å3, Pnma), Sr2Ca4In3Ge6-oP56 (a = 13.243 Å, b = 4.460 Å, c = 23.505 Å, V = 1388.47 Å3, Pnma), Sr8Li4In4Ge8-oP24 (a = 7.503, b = 4.619 Å, c = 17.473 Å, V = 605.6 Å3, Pnma). Для кристаллической структуры RbNa8Ga3As6-oP72 установлены 93 варианта кластерного представления 3D-атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4 и 6. Рассмотрен вариант самосборки с участием трех типов кластеров-прекурсоров: из сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6 (Rb2Na2As2) и K6(4b) = 0@ 6 (Na4As2) с симметрией g = –1, тетраэдра K4(8d) = 0@4(Na3As), двух тройных колец K3–1 = 0@ 3(NaGaAs), и атомов-спейсеров Ga и As. Для кристаллической структуры Sr2Ca4In3Ge6-oP56 установлены 43 варианта кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4 и 6. Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием 3 типов кластеров-прекурсоров из сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6 (Sr2In2Ge2) и K6(4b) = 0@ 6 (Ca2In2Ge2) с симметрией g = –1, сдвоенных тетраэдров K6(4c) = 0@ 6 (SrCa2InGe2) и атомов-спейсеров Ge2 и Ge4. Для кристаллической структуры Sr8Li4In4Ge8-oP24 установлены 3 варианта кластерного представления 3D-атомной сетки с двумя структурными единицами. Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием двух типов кластеров-прекурсоров в виде сдвоенных тетраэдров K6 = (Sr2Li2Ge2) с симметрией g = –1 и тройных колец K3 = 0@3 (SrInGe). Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D-структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур Ce56Ni24Si44-mS124 (a = 34.08 Å, b = 4.245 Å, c = 21.37 Å, β = 113.52(3) °, V = 2835.14 Å3, C12/m1) и Ba10La2Si12-oP48 (a = 17.144, b = 4.876, c = 17.910 Å, V = 1497.46 Å3, Pnma). Для кристаллической структуры Ce56Ni24Si44-mS124 установлены 5511 вариантов кластерного представления 3D-атомной сетки с числом структурных единиц 5 (28 вариантов), 6 (943 варианта), 7 (2316 вариантов), 8 (1704 варианта), 9 (520 вариантов). Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры из образующих упаковки трех типов кластеров-прекурсоров K13 = 0@13 (Ce6CeNi2Si4), K4 = 0@ 4(Ce2NiSi), K3 = 0@ 3(CeNiSi) и атомов-спейсеров Si. Для кристаллической структуры Ba10La2Si12-oP48 установлен 21 вариант кластерного представления 3D-атомной сетки с числом структурных единиц 2 и 3. Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров K11 = 0@11(Ba5LaSi5) и атомов-спейсеров Si. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D-структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур Li40P4Ge20-oP64 (V = 1082.85 Å3, Pnma), Ti40P24-oP64 (V = 955.14 Å3, Pnma). Для кристаллической структуры Li40P4Ge20-oP64 установлены 36 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2, 3, 4. Рассмотрена самосборка кристаллической структуры с участием кластеров-прекурсоров K11 = 0 @11(Li5(LiGe5)) в виде пентагональных пирамид LiGe5 c 5 атомами Li, расположенными на пяти гранях пирамиды, колец K3 = @3(Li2P) и атомов-спейсеров Li. Для кристаллической структуры Ti40P24-oP64 установлены 55 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2, 3, 4 и 6. Рассмотрена самосборка кристаллической структуры с участием кластеров-прекурсоров в виде 6-атомных сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@6(Ti4P2), K6(4b) = 0@6 (Ti4P2), 3-атомных колец K3 = 0@3(TiP2) и K3 = 0@3(Ti2P), и тетраэдров K4 = 0@4 (Ti3P). Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур Li40P4Ge20-oP64 и Ti40P24-oP64 из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур семейства Ce4Pt14Si8-oP52 (a = 19.633 Å, b = 4.036 Å, c = 11.224 Å, V = 889.4 Å3), Ce6Pd8Sn12-oP52 (a = 27.701 Å, b = 4.614 Å, c = 9.371 Å, V = 1198.02 Å3). Для кристаллической структуры Ce4Pt14Si8-oP52 установлен 21 вариант выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (6 вариантов) и 3 (9 вариантов) и 3 (6 вариантов). Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6 = 0@ 6 (Ce2Pt2Si2) с симметрией g = -1, тетраэдров K4 = 0@ 4 (CePt2Si), колец K3 = 0@3(Pt2Si). Для кристаллической структуры Ce6Pd8Sn12-oP52 установлены 27 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (6 вариантов), 3 (11 вариантов) и 4 (10 вариантов). Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6 = 0@ 6 (Ce2Pd2Sn2) с симметрией g = -1, колец K3 = 0@3(CePdSn), колец K3 = 0@3(PdSn2) и атомов-спейсеров Sn. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур Ce4Pt14Si8-oP52 и Ce6Pd8Sn12-oP52из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации