Статьи автора

Фрагментарная модель атомной структуры ионопроводящего полупроводникового стекла AgGeAsSe₃

Номер выпуска 5 от 16.09.2025

Функция радиального распределения атомов стеклообразного AgGeAsSe₃, полученная на основе экспериментальных кривых интенсивности, снятых на монохроматизированных медном и молибденовом излучениях, интерпретирована с помощью фрагментарной модели во всей области упорядочения (~9 Å). Показано, что стекло состоит из селеновых и селено-мышьяковистых тетраэдров с атомами германия и серебра внутри. Пространственное расположение таких тетраэдров в стекле в пределах области упорядочения подобно их расположению в структурах GeAsSe и GeSe₂. Сделано предположение, что “ажурное” строение фрагментов этих структур обеспечивает возможность перемещения ионов Ag⁺ (ионную проводимость) в стеклообразном AgGeAsSe₃. Фрагменты структуры ионопроводящего соединения Ag₂Se в исследуемом стекле не обнаружены.

3 0